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Preparación de películas delgadas de As2S3 por depósito químico con perspectivas de aplicación en celdas solares
Benítez Garza, Ángel Salvador y Lugo, S. y Peña Méndez, Yolanda y Elizondo, Perla y Garza, T. (2010) Preparación de películas delgadas de As2S3 por depósito químico con perspectivas de aplicación en celdas solares. Revista Química Hoy, 1 (1). pp. 19-22. ISSN 20071183
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Texto
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Resumen
In this paper we obtained thin films of As2S3 by chemical bath deposition. The films were prepared at a temperature of 80ºC for 3 hours each deposit. They were thermally treated at 180ºC and 250ºC for 30 minutes for 1 hour, respectively. The energy gap was calculated 2.9 eV. The conductivity was around, 3.62e-7
| Tipo de elemento: | Article | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Materias: | Q Ciencia > QD Química | ||||||||||||||||||
| Divisiones: | Ciencias Químicas | ||||||||||||||||||
| Usuario depositante: | Química Hoy FCQ | ||||||||||||||||||
| Creadores: |
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| Fecha del depósito: | 11 Dic 2017 21:04 | ||||||||||||||||||
| Última modificación: | 09 Ago 2019 15:10 | ||||||||||||||||||
| URI: | http://eprints.uanl.mx/id/eprint/13333 |
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