Preparación de películas delgadas de As2S3 por depósito químico con perspectivas de aplicación en celdas solares

Benitez Garza, Angel y Lugo, S. y Peña Méndez, Yolanda y Elizondo, Perla y Garza, T. (2010) Preparación de películas delgadas de As2S3 por depósito químico con perspectivas de aplicación en celdas solares. Revista Química Hoy, 1 (1). pp. 19-22. ISSN 20071183

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Resumen

In this paper we obtained thin films of As2S3 by chemical bath deposition. The films were prepared at a temperature of 80ºC for 3 hours each deposit. They were thermally treated at 180ºC and 250ºC for 30 minutes for 1 hour, respectively. The energy gap was calculated 2.9 eV. The conductivity was around, 3.62e-7

Tipo de elemento: Article
Materias: Q Ciencia > QD Química
Divisiones: Ciencias Químicas
Usuario depositante: Química Hoy FCQ
Creadores:
CreadorEmailORCID
Benitez Garza, AngelNO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Lugo, S.NO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Peña Méndez, Yolandayolanda.penamn@uanl.edu.mxNO ESPECIFICADO
Elizondo, PerlaNO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Garza, T.NO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Fecha del depósito: 11 Dic 2017 21:04
Última modificación: 24 Jun 2019 10:49
URI: http://eprints.uanl.mx/id/eprint/13333

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