Caracterización estructural y química de Siliciuros de Co-Ni preparados ablación de láser pulsado: un estudio experimental y teórico
García Méndez, Manuel
(2003)
Caracterización estructural y química de Siliciuros de Co-Ni preparados ablación de láser pulsado: un estudio experimental y teórico.
Ciencia UANL, 6 (4).
ISSN 1405-9177
Resumen
Por medio de la técnica de depósito de láser pulsado
(PLD), se prepararon películas delgadas de Co-
Ni/p-Si depositadas sobre sustratos de Si (100). Las
muestras se sometieron a tratamientos térmicos en
vacío para promover la formación de siliciuros. De
los análisis realizados con XPS se detectaron
corrimientos químicos para las transiciones del Co2p
y Si2p, las cuales son energías de enlace características
de siliciuros, en el rango de 778.3-778.6 eV y
853.2-853.6 eV, respectivamente. Por medio de
microscopía electrónica de alta resolución (HRTEM)
se identificaron regiones nanocristalinas de estructuras
de CoSi2, Ni2Si y NiSi2. Los resultados experimentales
se complementan con cálculos teóricos de
densidad de estados (DOS). Los cálculos se llevaron
a cabo utilizando la Teoría extendida de aproximación
de Hückel (EHT).
Tipo de elemento: |
Article
|
Palabras claves no controlados: |
Espectroscopia fotoelectrónica de rayos X, Siliciuros de Co-Ni, Densidad de estados, |
Materias: |
Q Ciencia > QD Química |
Divisiones: |
Ciencias Químicas |
Usuario depositante: |
Admin Eprints
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Creadores: |
Creador | Email | ORCID |
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García Méndez, Manuel | NO ESPECIFICADO | NO ESPECIFICADO |
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Fecha del depósito: |
04 Mar 2011 16:28 |
Última modificación: |
27 Nov 2014 04:51 |
URI: |
http://eprints.uanl.mx/id/eprint/1273 |
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