Chemically deposited In2S3–Ag2S layers to obtain AgInS2 thin films by thermal annealing.

Lugo Loredo, Shadai y Peña Méndez, Yolanda y Calixto Rodriguez, María Estela y López Mata, C. y Ramón, M.L. y Gómez de la Fuente, Idalia y Acosta, A. (2012) Chemically deposited In2S3–Ag2S layers to obtain AgInS2 thin films by thermal annealing. Applied Surface Science, 263. pp. 440-444. ISSN 0169-4332

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Resumen

AgInS2 thin films were obtained by the annealing of chemical bath deposited In2S3–Ag2S layers at 400 ◦C in N2 for 1 h. According to the XRD and EDX results the chalcopyrite structure of AgInS2 has been obtained. These films have an optical band gap, Eg, of 1.86 eV and an electrical conductivity value of 1.2 × 10−3 ( cm)−1.

Tipo de elemento: Article
Palabras claves no controlados: Silver indium sulfide, Thin films, Chemical bath deposition.
Materias: CONACYT > Biología y Química
Divisiones: Ciencias Químicas
Usuario depositante: Doctora Yolanda Peña
Creadores:
CreadorEmailORCID
Lugo Loredo, Shadaishadai.lugolrd@uanl.edu.mxNO ESPECIFICADO
Peña Méndez, Yolandayolanda.penamn@uanl.edu.mxNO ESPECIFICADO
Calixto Rodriguez, María EstelaNO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
López Mata, C.NO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Ramón, M.L.NO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Gómez de la Fuente, IdaliaNO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Acosta, A.NO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Fecha del depósito: 19 Sep 2018 17:39
Última modificación: 16 Oct 2018 17:52
URI: http://eprints.uanl.mx/id/eprint/13618

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