Chemically deposited In2S3–Ag2S layers to obtain AgInS2 thin films by thermal annealing.

Lugo Loredo, Shadai y Peña Méndez, Yolanda y Calixto Rodriguez, María Estela y López Mata, C. y Ramón, M.L. y Gómez de la Fuente, Idalia y Acosta, A. (2012) Chemically deposited In2S3–Ag2S layers to obtain AgInS2 thin films by thermal annealing. Applied surface science, 263. pp. 440-444. ISSN 0169-4332

Vista previa

Texto
Articulo chemically AgS In2S3.pdf - Versión Publicada
Available under License Creative Commons Attribution Non-commercial No Derivatives.
Download (635kB) | Vista previa

Resumen

AgInS2 thin films were obtained by the annealing of chemical bath deposited In2S3–Ag2S layers at 400 ◦C in N2 for 1 h. According to the XRD and EDX results the chalcopyrite structure of AgInS2 has been obtained. These films have an optical band gap, Eg, of 1.86 eV and an electrical conductivity value of 1.2 × 10−3 ( cm)−1.

Tipo de elemento:

Article

Palabras claves no controlados:

Silver indium sulfide, Thin films, Chemical bath deposition.

Materias:

CONACYT > Biología y Química

Divisiones:

Ciencias Químicas

Usuario depositante:

Doctora Yolanda Peña

Creadores:

Creador	Email	ORCID
Lugo Loredo, Shadai	shadai.lugolrd@uanl.edu.mx	NO ESPECIFICADO
Peña Méndez, Yolanda	yolanda.penamn@uanl.edu.mx	NO ESPECIFICADO
Calixto Rodriguez, María Estela	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO
López Mata, C.	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO
Ramón, M.L.	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO
Gómez de la Fuente, Idalia	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO
Acosta, A.	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO