Desarrollo de celdas solares utilizando el CuSbS₂ como capa absorbedora por la técnica de depósito por baño químico.

Benítez Garza, Ángel Salvador (2018) Desarrollo de celdas solares utilizando el CuSbS₂ como capa absorbedora por la técnica de depósito por baño químico. Maestría thesis, Universidad Autónoma de Nuevo León.

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Resumen

Propósito y Método de estudio: Las celdas solares en películas delgadas se van enfocando más en generar energía a partir de dispositivos más sencillos y a la vez tratar de minimizar los espesores y ampliar su disponibilidad. El CuSbS2 es un material semiconductor que puede ser utilizado como capa absorbedora por su alto coeficiente de absorción, además presenta una conductividad tipo-p y es un compuesto estable. Contribuciones y conclusiones: Se obtuvieron películas delgadas de CuSbS2 en un solo paso por CBD para formar las celdas en configuración superestrato con estructura: vidrio/SnO2:F/CdS/Sb2S3/CuSbS2/C/Ag presentaron Voc=412 mV, Jsc=1.44 mA/cm2 y η=0.244 %, utilizando un espesor de la capa absorbedora de 490 nm. Las celdas investigadas en configuración substrato con estructura: vidrio/Mo/CuSbS2/CdS/ZnO/ITO presentaron resultados de Voc= 98.89 mV, Jsc= 5.57 mA/cm2 y η= 0.15 %, utilizando el más alto espesor obtenido de la capa absorbedora. Se realizó el CuSbS2 por una técnica alternativa de evaporación térmica seguida de un tratamiento reactivo con S y esta se incorporó a celdas solares en configuración substrato utilizándola como capa absorbedora; con estructura vidrio/Mo/CuSbS2/CdS/ZnO/ITO obteniendo valores de Voc=440.2 mV, Jsc=11.429 mA/cm2 y η=2.6 %, dichos valores utilizaron una relación casi estequiométrica de 1:0.98 (Sb:Cu) y un tratamiento térmico de 450 °C por 30 min en atmósfera inerte de Ar y un espesor de 1.3 µm de la capa absorbedora, esta celda solar presenta valores cercanos a los reportados que utiliza el CuSbS2 como capa absorbedora.

Tipo de elemento: Tesis (Maestría)
Información adicional: Maestría en Ciencias con orientación en Química de los Materiales
Materias: T Tecnología > TK Ingeniería Eléctrica, Electrónica, Ingeniería Nuclear
T Tecnología > TP Tecnología Química
Divisiones: Ciencias Químicas
Usuario depositante: Lic. Jesús E. Alvarado
Creadores:
CreadorEmailORCID
Benítez Garza, Ángel SalvadorNO ESPECIFICADONO ESPECIFICADO
Fecha del depósito: 25 Jun 2019 14:36
Última modificación: 05 Dic 2019 21:14
URI: http://eprints.uanl.mx/id/eprint/15877

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