Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2

Aguilar, D.H. y Torres González, Luis Carlos y Torres Martínez, Leticia M. y López, T. y Quintana Owen, Patricia (2003) Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2. Ciencia UANL, 6 (1). ISSN 1405-9177

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Resumen

Los polvos en el sistema ZrO2-SiO2, obtenidos por el método sol-gel, se produjeron utilizando alcóxido de silicio (TEOS) y propóxido de zirconio. Después de la gelación, se investigó la cristalización del ZrO2 por difracción de rayos X (DRX), análisis térmico (ATD/ATG), y microscopía electrónica de barrido (MEB). Los geles frescos eran amorfos. Se llevaron a cabo tratamientos térmicos de 100 hasta 1400°C, manteniéndolos por períodos de tiempo de hasta182h. La primera fase en cristalizar fue la zirconia tetragonal Z(t), entre 300 y 500°C. La temperatura de cristalización para las composiciones ricas en zirconia fue menor y aumentó a medida que el contenido de sílice aumentaba. El análisis térmico diferencial (ATD) mostró que la cristalización de Z(t) ocurría en dos pasos. La transformación de zirconia tetragonal a monoclínica ocurría a 1000°C y era claramente observada sólo en composiciones ricas en zirconia (>80%). La sílice permanecía amorfa hasta 1200°C, cuando se formaba la fase ZrSiO4. Se propuso un diagrama de fases sol-gel metaestable para mostrar el proceso de cristalización en el intervalo de temperatura de 100 a 1400°C.

Tipo de elemento:

Article

Palabras claves no controlados:

Zirconia, Transformaciones de fase, Sílice, Sol-gel,

Materias:

Q Ciencia > QD Química

Divisiones:

Ciencias Químicas

Usuario depositante:

Admin Eprints

Creadores:

Creador	Email	ORCID
Aguilar, D.H.	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO
Torres González, Luis Carlos	luis.torresgn@uanl.edu.mx	orcid.org/0000-0001-9212-4331
Torres Martínez, Leticia M.	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO
López, T.	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO
Quintana Owen, Patricia	NO ESPECIFICADO	NO ESPECIFICADO